Який вплив має стерилізація гамма-випромінювання на вбудовані електронні пристрої

Ми щойно отримали назад 3 оснащення, які, можливо, були ненавмисно поставлені в процесі стерилізації гамма-випромінювання. Обладнання - це вбудований прилад малої потужності, що складається з 16-бітного мікроконтролера з периферійною пам'яттю FLASH та SRAM, підкріпленої літієвою батареєю. Обладнання здається повністю мертвим.

Які можливі ефекти матиме гамма-випромінювання на вбудовані пристрої? FLASH пошкодження пам’яті? Деградація ланцюга? Невдача компонента?

Більше інформації:

Обладнання - це три нефелометрові прилади, які ми виготовляємо, для використання як мозку досить дорогий реєстратор COTS. Інструменти були відправлені до нас з-за кордону разом з деякими зразками осаду. Митниця / карантин вирішили, що хочуть стерилізувати зразки осаду, і я думаю, що вони також повинні здати інструменти.

Прогноз, ймовірно, не надто спалахуючий [стогін].

Залежно від енергії випромінювання, загибель пристрою коливається від можливої ​​до суттєво визначеної.

Ви можете потенційно очікувати всіх описаних вами ефектів.
Навіть якщо, мабуть, все ще працюють, у вас можуть виникнути підвищені струми витоку та «загальне нещастя».

Яким було джерело гами? яка енергія ?, яка відстань? Чому?

Пошкодження радіації на електронних пристроях пам'яті PDF
HTML
говорить:

... Отримані результати показують, що гамма-випромінювання викликає зниження порогової напруги, пропорційне поглиненій дозі випромінювання.

EPROM & EEPROM: ... Гамма-випромінювання викликає генерацію електронно-дірових пар в ізоляторі SiO2 затвора. Кількість утворених пар прямо пропорційна енергії, що відкладається в матеріалі, залежно від загальної поглиненої дози випромінювання [8, 14]. ...

Висновок

... На основі аналізу даних, зібраних в результаті проведених експериментів, опромінення напівпровідникової пам'яті гамма-випромінюванням викликає три наслідки: захоплення дірок у місцях захоплення оксиду, впорскування дірок від оксиду в ФГ та викид електронів через FG- оксидний інтерфейс.

Породження електронно-діркових пар призводить до захоплення позитивно заряджених носіїв (отворів) в ізоляторі, викликаючи негативний зсув характеристик. А саме, носії позитивного заряду, викликані гамма-випромінюванням, потребують збільшення негативної напруги на затворі для компенсації позитивного заряду. Це означає, що гамма-випромінювання викликає зниження порогової напруги, пропорційне поглиненій дозі випромінювання.

NASA - Фішки в космосі