MOSFET Switch - не вимикається повністю?

У мене на протоборді підключена наступна схема.

Таблиця даних для MSSFET BSS138 тут . Я здивований тим, що я бачу, що трапляється з цією схемою - коли я застосовую 3,3 В на резисторі затвора, MOSFET включається повністю, і я бачу 3 мВ на виході. Це, звичайно, очікується.

Однак якщо я знімаю 3,3 В з резистора затвора, висувний резистор відключає ворота. Я очікував побачити приблизно 3,3 В на виході, але я бачу лише 2,7 В. Якщо я заміню 3,3 В на R1 на 5 В, на виході відображається 4 В. Іншими словами, на R1 падає вольт, коли MOSFET вимкнено. Це очікується? Так чи інакше, я очікував, що MOSFET матиме надзвичайно високий опір при вимкненому стані, а значить, очікується, що приблизно 5 В буде скинуто на нього, коли він вимкнеться.

Чи мої очікування не відповідають цьому MOSFET?

Тест 1 : Пройдено.

Тест 2 : Злив до джерела Vf = 0,515 В, джерело для стоку = 0,09 В, ворота до джерела = 0,07 В.

Це було досить химерно. Зауважте, я тест робив кілька разів. Я завжди отримую складний результат. Я ніде не бачив відкритого циклу. Це змушує мене повірити, що я дійсно знищив цей MOSFET під час роботи з ним. Колега сказав мені, що він знищив ще один MOSFET з тієї ж котушки вчора. Це призводить мене до тесту 4.

Тест 4 : Неповний. Я трохи насторожено ставлюся до цих MOSFET. Я не розумів, що чим менше пристрій, тим більше шансів пошкодити його. Я раніше обробляв MOSFET, але вони були набагато більшого розміру: TO-220. Я приніс антистатичний ремінець на зап'ясті з дому на роботу, але в кімнаті, в якій я працюю, немає терміналу Землі (див. Примітку !!. Але я працюю над тим, щоб це зафіксувати якнайшвидше. Я не думаю, що я " Я навіть буду робити що-небудь, поки я не буду належним чином. Я також замовляю антистатичний килимок. Навколишнє середовище тут досить сухе. Але в будівлі ніде немає килимів, не кажучи вже про приміщення, це веде мене подумати, що це або мій одяг, або мій робочий стіл.

Я переконався, що схема добре. Я також перевірив її іншою людиною, це змушує мене думати, що я тут добре.

Примітка. Це лише деякі речі, які вам доведеться мирити в країні третього світу! На щастя, принаймні будівля має заземлення. Тож отримати його в моїй кімнаті не повинно бути дуже складно.

Ваші результати не відповідають очікуваній роботі.
Або ви не займаєтесь тим, що вважаєте, що робите, або MOSFET пошкоджений, або у вашого тестового вимірювача дуже мало "Ом на вольт".

Тест1 : Підключіть вимірювальний прилад із -ве зондом до землі та + зондом через 1 к до 3V3.
Що таке показник напруги?

Це має читати 3V3 до дуже близького наближення.
Якщо він не дає або викине метр і отримає трохи кращий :-).

Будь-який лічильник, який неправильно читає в цій ситуації, ДУЖЕ поганий та корисний лише для тестування акумулятора.

Test2: Встановіть метр на діодний тестовий діапазон.
Міра стоку - джерело.
З джерелом = + ve, ви повинні побачити діод з Vf вище, ніж звичайний діод кремнію.
З + ве на Drain ви повинні побачити O / C.
Якщо мететр пов'язаний в будь-якому випадку GD і GS, ви повинні отримати відкриту схему.

Тест 3 Запитайте у Оліна поради.

Тест 4: Перевірте свою схему уважно.
Повторіть перевірку MOSFET.

Спробуйте новий FET.

Зауважте, що MOSFETS ДУЖЕ схильні до пошкодження ОУР, особливо ворота на D або S.
Поводьтеся з відповідними електростатичними запобіжними засобами.

Звіт назад.

Я згоден з Расселом. Я думаю, що найбільш вірогідна відповідь - це те, що раніше БНТ був пошкоджений. Надмірний витік є одним із симптомів зловживань. Наприклад, ви коли-небудь використовували цей FET для перемикання індуктивного навантаження і забували поставити діод уловлювача через індуктор? Пам’ятайте, що пристрої індивідуального захисту не мають захисні діоди, як цілі мікросхеми. Навіть невеликий статичний розряд на воротах може пошкодити БНТ.

Цілком можливо, що БНТ пошкоджено. Якщо у вас є інший, спробуйте.
Як і те, що згадував Рассел, я пропоную перевірити підключення резистора належним чином. Якщо ворота, якщо плаває, можливо, ви можете побачити таку поведінку.