Можливий найменший діод падіння напруги

Я збираю енергію з пристрою NFC за допомогою налаштованої антени на моїй платі. Хоча цим методом я здатний генерувати близько 3,05 В. Я хотів би зарядити супер конденсатор, використовуючи потужність, отриману від пристрою NFC. Для цього я використав просту діодну схему, представлену тут (і показана на малюнку 1 нижче).

Проблема, з якою я стикаюсь, полягає в тому, що моя схема вимагає як мінімум 3В для роботи в робочих умовах, однак при додатковому падінні типових діодів я вважаю, що можуть виникнути різні ситуації, коли вироблене напруга знизиться нижче необхідного 3В. Чи є в наявності діоди, які мають ультранизькі перепади напруги менше 0,01 В? і чи можливо це навіть?

Будь ласка, запиши:

• моє завантаження системи буде <5mA
• Згенерований 3,05 В був без діода в ланцюзі

У цій ситуації може бути застосований ідеальний діодний контролер та MOSFET - чистий ефект - діод падіння напруги Iload * Rds (on). Напевно, найпростішим у застосуванні був би LTC4412 Linear .

Виділені мікросхеми для зарядного пристрою суперконденсатора також, ймовірно, вирішили б цю проблему, але потребують ретельної специфікації.

Ознайомтеся з смарт- байпасним диодом SM74611 від Texas Instruments.

Передня напруга:
Vf [V] = 26mV @ 8A, Tj = 25 ° C

Інші альтернативи:

LX2400 Cool bypass (CBS) від Microsemi

Типова напруга вперед
VF = 50mV при 10A, Tamb = 85 ° C

SPV1001 Cool bypass (CBS) від STMicroelectronics

Vf [V] = 120mV @ 8A, Tj = 25 ° C
Vf [V] = 270mV @ 8A, Tj = 125 ° C

Супер бар'єрний випрямляч SBR30U30CT від діодів

Vf [V] = 190mV @ 2,5A, 125 ° C
Vf [V] = 250mV @ 5A, 125 ° C

Якщо ви додасте кілька витків дроту до антенної котушки, ймовірно, ви отримаєте більш високі напруги та менші струми, щоб ви могли використовувати діоди Шотткі. Коефіцієнт опору дуже важливий при збиранні енергії РФ. Деяке феритове ядро ​​також може допомогти, тому що забирає більше енергії. Енергія, необхідна для перемикання синхронного випрямляча Мосфет на частоті 13 МГц, ймовірно, більша, ніж енергія, що збирається.

MOSFET краще, ніж будь-який діод, і його можна використовувати, якщо є достатня напруга постійного струму для приводу воріт. При низьких струмах цей MOSFET був би дешевим і малим. Якщо у вас немає підходящої напруги на воротах, то є й інші варіанти:

• Дермоновий діод впаде менше, ніж Сі Шоткі.
• Теоретично, Ге Шоткі був би ще кращим, але таких пристроїв я ще не бачив.
• Є пристрій під назвою "Задній діод", який я не використовував, але він міг би працювати добре.

В іншому випадку існують схеми, які використовують пристрої режиму виснаження, які працюють на дуже низьких напругах. Що стосується режиму виснаження, то легше знайти J FET, ніж Mosfets.

Нещодавно я зіткнувся з подібною проблемою з пристроєм BLE, і, нарешті, вибрав MAX40200 "Ultra-Tiny Micropower, 1A Ideal Diode with Ultra-Low Voltage Drop". Характеристики можна побачити тут:

https://www.maximintegrated.com/en/products/analog/amplifiers/MAX40200.html