Контроль високого струму (1000A) за допомогою MOSFET

Я зараз розробляю ємнісний точковий зварювальник і стикаюся з проблемою перемикання.

Я планую використовувати кілька суперконденсаторів послідовно, щоб розряджати близько 1000А за дуже короткий проміжок часу (швидше за все, менше ніж 100 мілісекунд). Я планую зарядити конденсатори приблизно до 10В.

Тому мені по суті потрібен пристрій, здатний подавати короткий імпульс дуже високого струму. Я не хочу скидати весь заряд конденсатора за один раз, тому SCR не є рішенням моєї проблеми. Я дивився на MOSFET, і це кидається в очі: http://www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A(IXTN660N04T4)-1022876.pdf

Однак я не впевнений, як саме інтерпретувати таблицю даних. Чи здатний MOSFET керувати 1800A як стан його імпульсного зливу? Або це обмежено 660A (або навіть 220A), що змушує мене паралельно проводити декілька з них? Або один із цих MOSFETS буде добре? Згідно з моїми попередніми розрахунками, самотній MOSFET, підключений безпосередньо до конденсаторів, без будь-якого іншого опору, буде розсіюватися близько 900 Вт, що, здається, знаходиться в межах діапазону даних.

Так по суті, чи правильно я інтерпретую аркуш даних, чи мені потрібно замовити кілька цих MOSFET (і якщо так, то скільки б ви здогадалися?)

Подивіться на сторінку 4, рис.12, графік безпечної зони експлуатації. Саме це і потрібно.

Ви говорите про єдиний імпульс, правда? Ви взагалі не згадали жодного повторення чи часу. Якщо ви відкриєте мосфет важко, скажімо, що Rdson становить 0,85 мОм. У випадку 1000A Vds буде менше 1 В, тож вам потрібно подивитися ліву частину графіка.
Немає лінії для імпульсу 100 мс, тому вам доведеться інтерполювати між імпульсом постійного та 10 мс. Безпечний струм набагато нижчий, ніж 1000А. Це як 400A. І це максимум.

це залежить від коефіцієнта включення / вимкнення, скільки тепла виробляється. Ці транзисторні блоки мають одне обмеження, тобто теплопередачу. Вони не дуже хороші при охолодженні, ще одним недоліком є ​​велика ємність воріт, тому вам знадобиться дуже дорогий і потужний драйвер воріт, навіть більше, якщо ви будете ставити їх паралельно.

ІМО ви можете зробити кращу схему, якщо паралельно використовувати купу транзисторів D2Pak. D2Pak може обробляти більш поточні, але тоді вам знадобиться кілька складних друкованих плат.

Вам варто потурбуватися трохи більше про суперконденсатори. Деякі моделі "високого струму" Мурата оцінюються до 10А. Інші суперконденсатори мають рейтинг в діапазоні міліампер.

Я можу підтвердити, що цей транзистор не виконує завдання: http://www.eevblog.com/forum/projects/guesses-on-what-i-am-attempting-here/msg1236519/#msg1236519

Ця частина обмежена потужністю обробки струму зв'язку - 200А.