Спочатку трохи про коротке замикання: коротке замикання - це ланцюг, який не має жодних навмисних обмежуючих струмів елементів на шляху струму. Результатом цього є те, що елементи ланцюга, які ми зазвичай приймаємо за нульовий опір, починають діяти як резистори, і звичайна математична модель для розривів джерел живлення часто призводить до зниження напруги, ніж очікувалося, і руйнівного перегріву.
Ω5V470Ω≈10mAkΩ
У разі фактично коротких ліній ви повинні повністю сподіватися, що самі лінії матимуть незначний опір! Це призведе до прямого вкорочення штифтів, що, як написано в цитаті, призведе до мертвих штифтів. Також укорочені лінії часто призводять до поломки кнопок, оскільки великий струм негативно впливає на термін служби контакту кнопки через перегрів та іскри. Замість використання коротких замикань для з'єднувальних ліній, кращим способом є розміщення резистора біля землі лінії. Це обмежить струм при включенні лінії. Розміщуючи резистор поблизу основного з'єднання лінії, ми гарантуємо, що найбільше падіння напруги на лінії знаходиться в його кінці, тому, якщо ми затиснемо його іншою лінією зондування за допомогою кнопки, то лінія чуття бачить повну напругу.
Також штифти, встановлені як вхідні, знаходяться в так званому режимі "високого опору", це означає, що вони ведуть себе так, ніби вони були резистором з дуже великим опором, підключеним до землі. Якщо ви на 100% впевнені, що штифтом буде лише сенсорний штифт, то вам не потрібно ставити ще один резистор перед ним. Навіть у такому випадку корисно поставити резистор, тому що ви можете випадково встановити штифт як щось інше, ніж вхід і потенційно викликати коротке замикання. Якщо ви розміщуєте резистор, майте на увазі, що струм буде протікати дуже мало, а це означає, що падіння напруги на резисторі буде дуже низьким, що призведе до того, що на штифті буде видно повну напругу.
Якщо ви хочете ще "розширеного читання", ви можете подивитися таблицю даних для ATmega328, який є одним з мікроконтролерів, які використовуються в деяких Arduinos. У розділі 29. Електричні характеристики ви побачите, що за абсолютних максимальних значень струм на штифт вводу / виводу становить 40 мА, а для загального пристрою - 200 мА.
ОНОВЛЕННЯ: Будь ласка, не плутайте абсолютний максимальний рейтинг з операційними рейтингами! Повідомлення HEE з листа даних для ATmega32U4:
NOTICE:
Stresses beyond those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent dam-
age to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or
other conditions beyond those indicated in the
operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect
device reliability.
Ось виноски зі сторінки 379 тієї ж таблиці даних:
Although each I/O port can sink more than the test conditions (20mA at VCC = 5V, 10mA at VCC = 3V) under steady state
conditions (non-transient), the following must be observed:
ATmega16U4/ATmega32U4:
1.)The sum of all IOL, for ports A0-A7, G2, C4-C7 should not exceed 100 mA.
2.)The sum of all IOL, for ports C0-C3, G0-G1, D0-D7 should not exceed 100 mA.
3.)The sum of all IOL, for ports G3-G5, B0-B7, E0-E7 should not exceed 100 mA.
4.)The sum of all IOL, for ports F0-F7 should not exceed 100 mA.
If IOL exceeds the test condition, VOL may exceed the related specification. Pins are not guaranteed to sink current greater
than the listed test condition.
4. Although each I/O port can source more than the test conditions (20mA at VCC = 5V, 10mA at VCC = 3V) under steady
state conditions (non-transient), the following must be observed:
ATmega16U4/ATmega32U4:
1)The sum of all IOH, for ports A0-A7, G2, C4-C7 should not exceed 100 mA.
2)The sum of all IOH, for ports C0-C3, G0-G1, D0-D7 should not exceed 100 mA.
3)The sum of all IOH, for ports G3-G5, B0-B7, E0-E7 should not exceed 100 mA.
4)The sum of all IOH, for ports F0-F7 should not exceed 100 mA.
5. All DC Characteristics contained in this datasheet are based on simulation and characterization of other AVR microcon-
trollers manufactured in the same process technology. These values are preliminary values representing design targets, and
will be updated after characterization of actual silicon