АБО-джерела живлення (діод або мосфет)

У мене на платі є два варіанти живлення:

• USB 5.0V
• Роз'єм живлення постійного струму 5,0В

Мій намір - розробити інший варіант живлення, оскільки будь-який з них буде використовуватися одночасно. Можливі рішення показані нижче:

Використовуючи діоди Орінг

або з використанням двох п-мос

Можливі проблеми, що спостерігаються з вищезазначеними варіантами:

• Використовувати діод - це дешевий і хороший варіант, але звичайний діод дає падіння на 0,7 В, а діод Шоткі дасть краплю від 0,16 до 0,20 вольт, що також не прийнятно, оскільки для мого процесора IMX.28 рекомендована напруга живлення 5,0 В і мінімальна напруга живлення - 4,75. При 0,2 В з діодом Шоткі 5,0 В зменшується до 4,80 В, а простір між рекомендованим та подачею живлення дуже менше.
• Тоді я подумав використовувати p-mosfets, який служить цілі орфографії разом із захистом зворотної полярності, але припустимо випадок, коли обидва джерела подаються разом помилково і є незначна різниця між живленням USB і роз'ємом постійного струму, скажімо, 4,9 В для USB і 5.10В для гнізда постійного струму. Тоді блок живлення постійного струму може перекачувати струм в гнізді USB, що може пошкодити USB.

Чи є якийсь інший кращий і дешевий варіант, який я повинен використовувати для постачання, або щось не в моєму аналізі?

Існують ІМС, які дозволяють робити все, включаючи комутаційні MOSFET, повну ізоляцію між входами тощо.

Наприклад, PS2115A від TI може автоматично перемикатися між двома входами, обробляти 2A, і в даний час він доступний за DigiKey за 2,15 дол. Погляньте на рисунок 14, що ви хочете.

Я знаю, що це кілька місяців, але тільки для нащадків:

Використання двох PMOS, як пропонує ОП, НЕ працює так, як він має намір. Це помилка, яку я робив у минулому. FETs фактично не робитимуть нічого, щоб не перешкодити одному джерелу живлення подаватись в інший, оскільки внутрішній діод тіла буде вести від стоку до джерела, коли знаходиться під зворотним зміщенням. Дивіться цю публікацію, щоб дізнатися більше про діод тіла та як / чому він формується.

Є рішення з дискретністю (які запрошують використовувати mosfets з 4-м терміналом корпусу), але вперед і довіртесь, вони не дуже прості і вимагають певного розгляду з компонуванням схеми.

Редагувати: за допомогою 4-х термінальних БНТ ви виймаєте діод тіла, тож вам потрібен лише один. Я мушу зазначити, що існує рішення, що використовує 3 термінальних FET, використовуючи два серії pmos послідовно, їх джерела пов'язані між собою. Ознайомтеся з цим приводом і приміткою до цієї програми . Google "комутатор загального джерела" для отримання додаткової інформації.

Альтернативою є використання PMIC (IC power management IC), як радили інші. Вони продають PMIC, які мають функціонал ідеального діода (без падіння напруги) та інші, які більш конкретні для застосування. Це дійсно спростить ваше життя. Вони абстрагують деякі складні фізичні характеристики пристрою та поводяться з ними набагато ефективніше, ніж це можна зробити, використовуючи дискрети. Витягує TPS2114 в якості прикладу.

Якщо ви хочете зробити це з дискретністю, ви можете розширити функціональність свого домовленості про FET таким чином:

Це увімкне відповідний FET, коли підключено відповідне джерело.

Я гадаю, що було б вигідно розставити пріоритет USB-джерелу для функцій зв'язку, тому він має перевагу, якщо обидва джерела підключені, вимкнувши джерело Plug pack.

Ви можете спробувати "ідеальні діоди", такі як https://www.digikey.com/product-detail/en/maxim-integrated/MAX40200AUK-T/MAX40200AUK-TCT-ND/7599791 - для введення рішення ORING, де ви не потрібно перерізати, це просто може зробити трюк.