DIMM: одиночний проти подвійний проти чотирьох ранг

Яку різницю має значення "Ранг" DIMM для пам'яті сервера? Наприклад, дивлячись на конфігурації сервера, я бачу, що для одного сервера пропонуються такі:

2GB (1x2GB) Single Rank PC3-10600 CL9 ECC DDR3-1333 VLP RDIMM

2GB (1x2GB) Dual Rank PC3-10600 CL9 ECC DDR3-1333 VLP RDIMM

З огляду на можливість одиничного рангу проти подвійного рангу або подвійного рангу проти квадрового рангу один завжди:

• Швидше?
• Дешевше?
• Більш висока пропускна здатність?

Важливо забезпечити, щоб DIMM з відповідною кількістю рангів були заповнені в кожному каналі для досягнення оптимальної продуктивності. По можливості рекомендується використовувати подвійні DIMM-системи в системі. Двомісні DIMM пропонують кращу переплетення і, отже, кращі показники, ніж одноразові DIMM.

Наприклад, система, заселена шістьма двомістними DIMM з двома ГБ, перевершує систему, заповнену шістьма 2 ГБ одноразових DIMM на 7% для SPECjbb2005. DIMM з подвійним рангом також краще, ніж квадратичні DIMM, тому що квадратичні DIMM призведуть до зменшення швидкості пам'яті.

Ще одне важливе керівництво - це заповнення еквівалентних рангів на канал. Наприклад, слід уникати змішування одного одноразового DIMM і одного подвійного DIMM в каналі.

Зрештою, ефект від кількості рангів пам'яті специфічний для кожного сервера / чіпсета. Наприклад, на серверах x3850X5 IBM більше рангів краще (див. § 3.8.4):

Завдяки процесорам Xeon 7500/6500 в x3850 X5 наявність більшої кількості рангів дає кращі показники. Причина полягає в схемі адресації, яка може розширювати сторінки за рядами, тим самим роблячи сторінки ефективнішими і, отже, більше циклами звернення до сторінки.

У Вікіпедії досить добре пояснення рангу ( посилання ). Я б сказав, що RamCity (постачальник пам'яті Kingston) має більш вдале пояснення щодо рангів ( посилання ):

Рядок пам'яті - це, просто кажучи, блок або область даних, які створюються за допомогою деяких або всіх мікросхем пам'яті на модулі пам'яті.

Ранг повинен становити 64 біти даних; на модулях пам'яті, які підтримують Кодекс виправлення помилок (ECC), для 64-бітової області даних потрібна 8-бітна широка область ECC загальною шириною 72 біта. Залежно від способу побудови модулів пам'яті вони можуть містити одну, дві або чотири області 64-бітових областей даних (або 72-бітові області, де 72 біти = 64 біта даних і 8 біт ECC).

У статті йдеться про зміну ціни:

Чому модулі пам’яті одно- та двосторонньої пам’яті відрізняються за ціною?

Взагалі, одно рангові модулі пам'яті побудовані за допомогою мікросхем DRAM x4 ("На 4") і коштують дорожче, ніж модулі пам'яті подвійного ранжу (які побудовані за допомогою чіпів x8 DRAM); обидва типи модулів мають однакову кількість мікросхем, але x4 DRAM є дорожчими, ніж x8 DRAM. Модулі пам'яті подвійного ранжиру можуть обмежувати майбутню модернізацію та ємність серверів при використанні пам'яті PC2700 або PC2-3200. Цей компроміс між вартістю пам'яті та потужністю важливо враховувати при придбанні модулів пам'яті для серверів на базі Intel Lindenhurst.

Щодо продуктивності, я б посилався на wikipedia:

Не можна отримати доступ до рангів одночасно, оскільки вони мають однаковий шлях даних.

Отже, підсумовуючи все, виявляється, що ранги мають більше спільного з щільністю та ціноутворенням, ніж з реальними показниками. Звичайно, я працюю на узагальнених висловлюваннях від постачальника та вікіпедії, я не думаю, що більшість людей докладають великих зусиль для дослідження рангів. Все, що має значення (для більшості адміністраторів сервера), полягає в тому, що оперативна пам’ять має відповідні ранги. Я не думаю, що це фактична специфікація або вимога, але це допомагає зберігати певну узгодженість і зберігає пам'ять взаємозамінною на ряді подібних серверів.

Майте на увазі, що більшість серверів є оновленими, а щільність оперативної пам’яті має важливу роль. Краще (хоч і дорожче) отримати більш щільну оперативну пам’ять для серверів, щоб звільнити місце для майбутніх оновлень.

В принципі, ранжування пам'яті може розглядатися як модульне базування пам'яті. Він має однаковий обмежувальний ефект і, в принципі, не сильно відрізняється.

Ви можете отримати доступ лише до одного рангу пам’яті одночасно на каналі пам’яті і не можете читати / записувати з / на канал набагато швидше, ніж із встановленим єдиним одноранговим чіпом.

Основна ідея ранжирування пам'яті - збільшити кількість пам'яті в одно слот-модулі, зменшивши необхідну кількість банків.

Як і у випадку з банківською пам'яттю, чим більше встановлених модулів (рангів), тим дозволена більш повільна швидкість пам'яті.

Як правило, два ряди пам’яті (два одноразові модулі або один подвійний ранг) не впливали б на швидкість пам’яті (а навіть збільшать продуктивність пам’яті приблизно до 10%).

Чотири ранги (один чотирьох-ранговий, два дво-рангові або чотири одноразові) вимагатимуть знизити швидкість пам'яті на один крок (що зробить загальну продуктивність приблизно такою ж, як і для єдиного одноразового модуля).

Вісім рангів (де вони підтримуються) - на два етапи (загальна продуктивність приблизно на 10% менша, ніж при одномоментному модулі).

Можна сказати, що ви обмінюєте швидкість пам'яті на об'єм пам'яті.

Як я знаю, DIMM з одним рангом дорожчий, ніж DIMM з подвійним рангом. Для того, щоб запакувати той самий об'єм пам'яті в Single Rank DIMM, виробники повинні використовувати мікросхеми більшої ємності, щоб компенсувати це. Ось чому DIMM для одного рейтингу, як правило, дорожче.

Я вважаю, що Ранк має щось спільне з кількістю підключень до мікросхем DIMM. Оскільки кількість роз’ємів обмежена. Щоб підходити більше пам'яті з меншими витратами, вони використовують два банки на DIMM, щоб вони могли використовувати менші мікросхеми, щоб досягти однакового обсягу пам'яті. Ось чому ми могли управляти банками, не заповнюючи всі слоти пам'яті.

Основним випадковим фактором для множинних DIMM є щільність ІС пам'яті.

Це пов'язано з можливими проблемами сумісності на деяких чіпсетах. Незважаючи на те, що DIMM з подвійним рангом можна побачити на деяких чіпсетах.

Одноразові DIMM, як правило, дорожчі; що стосується досягнення тієї ж ємності, то ІМС пам'яті повинні бути більшими.