Чи можу я з'єднати дві сторони подвійного Н-моста L293D, якщо мені потрібен лише один Н-міст?

Передумови: я використовую подвійний Н-міст L293D для приводу двигуна постійного струму, але лише один двигун, а в комплекті є два повних Н-моста. Це все припаяно до Veroboard (накладки).

Питання: Чи можна паралельно використовувати дві сторони мікросхеми типу "подвійний провід"? Можливо, подати більше струму (не суворо потрібно), але насправді, тому мені не потрібно різати стільки смуг на стрічці.

Ось мої міркування ... Окрім Vin та 'enable', дві сторони мікросхеми - це дзеркальні зображення, іншими словами, мені здається, що я міг би залишити смужку недоторканою по всій мікросхемі для входів, виходів та заземлень . Я б використовував вихід 1 і 4 разом для одного терміналу мотора, а вихід 2 і 3 для іншого. Тоді я також додав би вхід 1 до 4, а вхід 2 приєднано до 3. (вхідні сигнали надходять від Netduino)

Я вже планував підключити всі GND, оскільки вони також використовуються мікросхемою для відводу тепла.

Ось погано намальована фішка чіпа.

Редагувати: Лист даних тут: http://oomlout.com/L293/IC-L293D-DATA.pdf

2-е редагування: прочитавши таблицю даних з посиланням на відповідь Оліна, я не можу знайти посилання на те, використовують вони FET чи ні, (насправді слово "транзистор" з'являється лише один раз із посиланням на можливе навантаження). Я знайшов посилання на людей, які складають або Piggybacking ці фішки один на одного (щоб забезпечити більш актуальне). Якщо це можливо, я гадаю, проводка поперек повинна працювати. Я спробую і звіту.

Так , ви можете однозначно паралельно виконувати два виходи L293D. Я зробив кілька крокових драйверів на основі L293D з паралельними виходами і не мав проблем.

Як зазначено в цій заявці від ST Microelectronics ( ЗАСТОСУВАННЯ МОНОЛІТНИХ МОСТОВИХ Драйверів ), зазначено:

Більш високі вихідні струми можна отримати, паралельно виходячи з обох мостів. Наприклад, виходи L298N можна з'єднати паралельно, щоб зробити єдиний міст 3,5 А. Щоб переконатися, що струм справедливо розділений між мостами, їх потрібно з'єднати, як показано на малюнку 2. Іншими словами, канал один повинен бути паралельний каналу четвертий, а канал два паралельним каналу три. Крім цього правила, зв’язок дуже простий - входи, включення, виходи та випромінювачі просто з'єднані між собою. Виходи L293 або L293E також можуть бути паралельними - і в цьому випадку канал 1 повинен бути паралельний каналу 4, а канал 2 - каналом 3.

Але ви повинні знати, що загальна потужність струму паралельних виходів була б меншою, ніж сума двох каналів (<1200 мА).

EDIT: Єдині відмінності між L293 / L293E та L293D полягають у тому, що:

• L239D включає в себе внутрішні затискаючі діоди

• L293 / L293E має більш високі можливості вихідного струму.

Вам доведеться подивитися в аркуші даних і подивитися, як саме реалізуються мости H. Якщо вони реалізовані з FET, вони повинні мати можливість досить добре завантажувати частку. Інша річ, на яку слід стежити - це точний перерву, перш ніж робити поведінку. Перевірте абсолютні терміни, а не лише відносні моменти часу в межах одного мосту H. Швидше за все, це добре.

Якщо ви не плануєте перевищувати поточний рейтинг одного Н-мосту, то навіть розподіл навантаження не є проблемою. Тож відповідь, швидше за все, гаразд, але, звичайно, без перевірки аркуша даних це лише здогадка.

Якщо ви подивитеся на таблицю даних на стор. 3, деякі характеристики - V _{CE (sat)} - С і Е - стійка для колектора і випромінювача PNP / NPN (біполярних) транзисторів, які не мають прямого поділу : якщо два транзистори NPN або PNP підключені всі 3 клеми паралельно, коли один стає гарячішим за інший, його V _CE зменшується, що призводить до того, що він плече більше струму, через що він нагрівається більше, і ви отримуєте позитивний ефект зворотного зв'язку.

Однак, внутрішня схема, можливо, була спроектована таким чином, щоб дозволяти паралельні H-мости, але, здається, про це нічого не сказано.